NASA desenvolve nave espacial de alta velocidade

Cientistas da NASA e do Instituto Coreano de Ciência e Tecnologia (KAIST) inventaram chips de silício auto-cicatrizados com transistores de nanofios, que podem ser usados na produção de espaçonaves ou naves espaciais de alta velocidade.

A invenção foi apresentada perante o comitê de especialistas da NASA em 7 de dezembro de 2016, na International Electron Devices Meeting, realizada em San Francisco. Os novos transistores serão fundamentais no desenvolvimento de espaçonaves em escala de chips, que podem ser enviadas ao espaço para explorar estrelas e galáxias.

A NASA Dong-II Moon Company será responsável pelo desenvolvimento desta tecnologia e fabrica de espaçonaves que podem sobreviver às radiações e ao calor encontradas durante a viagem espacial, informou o IEEE Spectrum.

A nave espacial baseada em chip de silício será capaz de viajar 100 vezes mais rápido do que a espaçonave disponível atualmente e permitirá que os exploradores espaciais atinjam as estrelas mais próximas em apenas 20 anos. A nave espacial baseada em chip de silício será altamente vantajosa por causa de sua natureza de auto-cura.

As micro plaquetas do silicone têm uma probabilidade elevada de começar a danificar durante sua viagem no espaço devido à exposição ao calor e às radiações de alta energia. Estas radiações causam acúmulo de defeitos carregados positivamente na camada de dióxido de silício em torno do chip, o que obstrui o desempenho do dispositivo, de acordo com Yang-Kyu Choi, KAIST.

A cura no chip pode ser a solução possível para garantir a manutenção e o funcionamento da espaçonave em escala de chips. De acordo com o especialista da NASA Jin-Woo Han, “a cura On-chip tem sido em torno de muitos, muitos anos.”

O Centro Nacional de Pesquisa de Microeletrônica em Cork, na Irlanda, e Macronix da cura induzida pelo calor da memória flash de Taiwan foram os principais narcos da pesquisa que levou ao desenvolvimento de chips de silício auto-reparáveis.

Os transistores ligados ao chip são designados como os transistores de nanofios “portão-ao redor”. Eles são integrados com nanofios finos, que permitem a passagem de uma quantidade limitada de corrente para garantir a manutenção e o funcionamento do chip de silício, informou a I4U News.

A partir de agora os cientistas estão ocupados em desenvolver sondas de silício baseadas em chip de baixo custo que podem ser usadas para futuros programas de exploração espacial. Especula-se que estas naves espaciais de alta velocidade estarão prontas até 2020 para futuras expedições.